森山 喬史




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Profile


・Mar. 2010  B.E. The University of Tokyo (Department of Materials Engineerin)
・Sep. 2012  M.S. The University of Tokyo (Department of Materials Engineerin)
・Jan. 2013~ Researcher, Shoei Chemical Inc.
・Sep. 2019~ PhD. course The University of Tokyo


Research

Structural Analysis of InP Colloidal Quantum Dots

数 nm~十数 nmの半導体ナノ粒子である量子ドットは、量子閉じ込め効果によりバンドギャップがサイズ依存であるという特徴を持っています。これによって,材料を変えることなくサイズのみで可視光全域で発光色を制御することが可能です。量子ドットはその狭い蛍光スペクトル幅と高い蛍光量子効率から、主にディスプレイへの応用が進められています。従来は有害なCdを含む材料が主流でしたが、環境への関心の高まりから有害なCdやPbを用いないInP系の材料が注目されています。

InP量子ドットはその小さな粒子の中に、コア/シェル/シェルという3層構造を作り出しています。これらの層間の界面構造というのは光学特性に大きな影響を与えると考えられますが、その詳細な構造は明らかになっていません。 また、光学特性改善のため異種元素をドープしますが、それらが結晶のどの位置に存在しどのような役割を果たしているのかは分かっていません。

本研究では、原子分解能を有するSTEMでの結晶構造解析とSTEM-EDSやSTEM-EELSによる元素マッピングから、構造と光学特性の結びつきを明らかにすることを目的としています。




Publication list

Publication

  1. T. Moriyama, K. Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi, Carrier density modulation in graphene underneath Ni electrode", Journal of Applied Physics, 114, 024503-1 ~ 024503-8 (2013), DOI:10.1063/1.4813216


Conference

  1. T.Moriyama, H.Sasaki, N.Umeda, N.Sakura, Y.Mitsuka, M.Kido, K.Matsuura, T.Nomura, S.Hirano, and Y.Akimoto, "InP Based Quantum Dots for Wide Color Gamut Display"(Invited)", Pacific Rim Conference of Ceramic Societies 13, (Oct. 29, 2019, Okinawa), oral

  2. T.Moriyama, K.Nagashio, T. Nishimura, and A. Toriumi, "Electrical transport properties of graphene in contact with Ni", 2012 MRS Spring Meeting, (Apr. 10, 2012, San Francisco), oral

  3. T. Moriyama, K. Nagashio, T. Nishimura and A. Toriumi, "Bias Dependent G-band Shift of Graphene in Direct Contacting with Ni", 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM),
    pp.438-439.,(Sep.26, 2012, Kyoto), poster

  4. T. Moriyama, K. Nagashio, T. Nishimura and A. Toriumi, "Electrical Conductance in Graphene Contacting with Metal", 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), pp1288-1289.(Sep.30, 2011, Nagoya), oral

  5. 森山喬史, 長汐晃輔, 西村知紀, 鳥海明, 「グラフェン/SiO2/Si スタックにおける光応答」,2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会(2012年3月16日, 早稲田大学((東京)), oral

  6. 森山喬史,長汐晃輔,西村知紀,鳥海明,「金属と接触するグラフェンの電気伝導特性」,第72回応用物理学会学術講演会(2011年8月31日, 山形大学(山形)), oral